光探测紫外线优化adp的极其敏感

激光组件设计范围广泛的雪崩二极管(adp)与市场领先的性能,优化不同的应用需求。这些非常敏感探测器能够探测到单光子光水平。最近的进展包括在外延结构输入表面优化紫外敏感性。紫外光子能量高,这意味着他们在硅的吸收深度很浅。在传统的二极管和adp,大部分紫外线信号输给了反射、吸收或输入表面复合结构导致灵敏度很低。激光组件已经开发出一种极薄的P +淀积层,从而最小化重组,使极高的敏感性要实现波长短的光。一个anti-reflection涂层也可以应用与厚度最小反射特定波长的调谐。

adp的范围包括:SAE系列——硅外延结构使快速响应时间和低噪声;SAR系列——硅在结构与深层吸收地区和非常低的噪音;苏尔系列——硅外延结构表面对紫外线短波长优化;SAP系列——优化单光子计数在盖革模式下;萨哈系列——硅,大规模生产,低成本、低工作电压;IAG系列——InGaAs adp为近红外光谱波长1000 nm - 1630 nm)。高(30 M >),低噪音。

激光组件还可以提供美国adp数组以及驱动电路和模块对线性和盖革模式操作,提供一个简单的方法来评估美国的能力。要求自定义变量也欢迎。